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0.25um GaN/SiC HEMT工艺
工作频段：Ku波段及以下，主要用于MMIC和功率管制作
工艺特点：
· 0.25um T-gate
· 平坦化工艺
· SiN钝化层
· MIM电容
· TaN薄膜电阻
· 源场版工艺，提升击穿电压
· 空气桥互联
· 背面通孔工艺
· 额定工作电压Vds=28V;Operation up to Vds=40V；
工艺特点：
· 0.25um T-gate
· 平坦化工艺
· SiN钝化层
· MIM电容
· TaN薄膜电阻
· 源场版工艺，提升击穿电压
· 空气桥互联
· 背面通孔工艺
· 额定工作电压Vds=28V;Operation up to Vds=40V；
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