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0.25um GaN/SiC HEMT工艺

工作频段:Ku波段及以下,主要用于MMIC和功率管制作

工艺特点:

  • 0.25um  T-gate
  • 平坦化工艺
  • SiN钝化层
  • MIM电容
  • TaN薄膜电阻
  • 源场版工艺,提升击穿电压
  • 空气桥互联
  • 背面通孔工艺
  • 额定工作电压Vds=28V;Operation up to Vds=40V;





          


0.25um GaN/SiC HEMT工艺
工作频段:Ku波段及以下,主要用于MMIC和功率管制作
工艺特点:
· 0.25um T-gate
· 平坦化工艺
· SiN钝化层
· MIM电容
· TaN薄膜电阻
· 源场版工艺,提升击穿电压
· 空气桥互联
· 背面通孔工艺
· 额定工作电压Vds=28V;Operation up to Vds=40V;
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