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0.15um GaN/SiC HEMT工艺
我司拥有完整的0.15um SiC基GaN HEMT 射频芯片制造工艺平台，包含晶圆制造工艺技术以及完整的PDK模型库，用于射频微波GaN芯片生产,面向于移动通信，航空航天等应用领域。
具有良好的成本控制和快速交付的能力，可以为客户提供高成品率，同时可提供辅助设计，光罩制作，直流测试筛选，晶圆划片等多项目服务。
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