Name: 射频微系统 RF 2.0 架构
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射频微系统 RF 2.0 架构

关键特征	指标
Body Size（L/W/H）（mm）（without BGA）	25251.6
Overall High（mm）	2.0
MMIC Max Size（L/W/H）（mm）	10100.2
Frequency（GHZ）	L、S、C、X、Ku、K、Ka
Gold Wire Size（um）	25
Gold Wire Loop Height（um）	60~80
RDL层数	8
TSV规格（um）	Cover：30250 Interposer：30200
Min RDL Line/Space（um）	20/20
焊接温度	180~220^oC
BGA Size（mm）	0.2/0.25/0.3/0.5
微系统重量（g）	＜3

该系列产品属于射频微系统产品体系，本系列产品由由六层硅转接板堆叠组成，可以集成两层最大厚度0.2mm的芯片。组件与组件之前利用高精度键合机通过BGA球实现堆叠。微系统可以实现更多数量器件的气密性封闭集成。其中功率器件一般集成在微系统下层组件中，微系统可以通过其底部/顶部的BGA球与基板焊接，实现功能引出。

射频微系统 RF 2.0 架构

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