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0.45um GaN/SiC HEMT工艺
我司拥有完整的0.45um SiC基GaN HEMT 射频芯片制造工艺平台，应用于射频微波GaN芯片生产,面向于移动通信，航空航天等应用领域。
良好的成本控制和快速交付的能力，可以为客户提供高成品率，同时可提供辅助设计，光罩制作，直流测试筛选，晶圆划片等多项目服务。
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