关键特征 | 指标 |
Body Size(L/W/H)(mm)(without BGA) | 25*25*0.5 |
Overall High(mm) | 0.7 |
MMIC Max Size(L/W/H)(mm) | 10*10*0.1 |
Frequency(GHz) | L、S、C、X、Ku、K、Ka |
Gold Wire Size(um) | 25 |
Gold Wire Loop Height(um) | 60~80 |
RDL层数 | 3 |
Min RDL Line/Space(um) | 20/20 |
Min RDL最大电流(mA) | 400 |
BGA Size(mm) | 0.2/0.25/0.3/0.5 |
焊接温度 | 180~220oC |
TSV规格(um) | Cover:60*300 Interposer:30*200 |
微系统重量(g) | <1 |
该系列产品由一张下转接板和一张上盖板组成,芯片以平贴打线的方式集成在下转接板上预先设置的键合金属上,通过金属热压键合将上盖板与之完成气密性焊接,微系统通过锡球实现功能互联引出。微系统最多可以实现3层RDL布线。微系统可以通过其底部的BGA与基板进行焊接实现功能引出。
